MOSFET P-kanałowy 140 mA TO-92 100 V Pojedynczy 625 mW 20 omów
- Nr art. RS:
- 122-1264
- Nr części producenta:
- ZVP3310A
- Producent:
- DiodesZetex
Suma częściowa (1 opakowanie po 4000 sztuk/i)*
5 240,00 zł
(bez VAT)
6 440,00 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
Tymczasowo niedostępny
- Dostępne od 24 marca 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Za Opakowanie* |
|---|---|---|
| 4000 + | 1,31 zł | 5 240,00 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 122-1264
- Nr części producenta:
- ZVP3310A
- Producent:
- DiodesZetex
Dane techniczne
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | DiodesZetex | |
| Typ kanału | P | |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 140 mA | |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 100 V | |
| Typ opakowania | TO-92 | |
| Typ montażu | Otwór przezierny | |
| Liczba styków | 3 | |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 20 omów | |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie | |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 3.5V | |
| Maksymalna strata mocy | 625 mW | |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy | |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V | |
| Liczba elementów na układ | 1 | |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C | |
| Materiał tranzystora | Si | |
| Długość | 4.77mm | |
| Szerokość | 2.41mm | |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C | |
| Wysokość | 4.01mm | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka DiodesZetex | ||
Typ kanału P | ||
Maksymalny ciągły prąd drenu 140 mA | ||
Maksymalne napięcie dren-źródło 100 V | ||
Typ opakowania TO-92 | ||
Typ montażu Otwór przezierny | ||
Liczba styków 3 | ||
Maksymalna rezystancja dren-źródło 20 omów | ||
Tryb kanałowy Rozszerzenie | ||
Maksymalne napięcie progowe VGS 3.5V | ||
Maksymalna strata mocy 625 mW | ||
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy | ||
Maksymalne napięcie bramka-źródło -20 V, +20 V | ||
Liczba elementów na układ 1 | ||
Maksymalna temperatura robocza +150°C | ||
Materiał tranzystora Si | ||
Długość 4.77mm | ||
Szerokość 2.41mm | ||
Minimalna temperatura robocza -55°C | ||
Wysokość 4.01mm | ||
- Kraj pochodzenia:
- CN
P-Channel MOSFET, od 100V do 450V, Diody Inc
.
Tranzystory MOSFET, Diody Inc.
Powiązane linki
- MOSFET P-kanałowy 140 mA TO-92 100 V Pojedynczy 625 mW 20 omów
- MOSFET N-kanałowy 200 mA TO-92 100 V Pojedynczy 625 mW 10 omów
- MOSFET P-kanałowy 160 mA E-Line 60 V Pojedynczy 625 mW 14 omów
- MOSFET N-kanałowy 500 mA TO-92 60 V Pojedynczy 830 mW 5 omów
- MOSFET N-kanałowy 270 mA E-Line 60 V Pojedynczy 625 mW 5 omów
- MOSFET P-kanałowy 280 mA TO-92 60 V Pojedynczy 700 mW 5 omów
- MOSFET P-kanałowy 175 mA TO-92 40 V Pojedynczy 740 mW 10 omów
- MOSFET P-kanałowy 230 mA E-Line 45 V Pojedynczy 700 mW 14 omów
