MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 2 A; 4,5 A TSOT-26 30 V SMD Izolacja 1,3 W 85 mΩ, 190 mΩ
- Nr art. RS:
- 122-3246
- Nr części producenta:
- DMG6601LVT-7
- Producent:
- DiodesZetex
21000 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (3000 na rolce)
0,61 zł
(bez VAT)
0,75 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Reel* |
| 3000 - 6000 | 0,61 zł | 1 821,00 zł |
| 9000 + | 0,57 zł | 1 710,00 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 122-3246
- Nr części producenta:
- DMG6601LVT-7
- Producent:
- DiodesZetex
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
Podwójny MOSFET N/P-Channel, Diodes Inc.
.
Tranzystory MOSFET, Diody Inc.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N, P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 2 A; 4,5 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 30 V |
| Typ opakowania | TSOT-26 |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 6 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 85 mΩ, 190 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 3V |
| Maksymalna strata mocy | 1,3 W |
| Konfiguracja tranzystora | Izolacja |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -12 V, +12 V |
| Liczba elementów na układ | 2 |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Szerokość | 1.6mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Długość | 2.9mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 12,3 nC przy 10 V, 13,8 nC przy 10 V |
| Wysokość | 0.9mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
- Nr art. RS:
- 122-3246
- Nr części producenta:
- DMG6601LVT-7
- Producent:
- DiodesZetex