MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 2,5 A; 7,8 A SOIC 30 V SMD Pełny mostek 1,5 W 40 mΩ, 80 mΩ
- Nr art. RS:
- 122-3273
- Nr części producenta:
- DMHC3025LSD-13
- Producent:
- DiodesZetex
Przepraszamy, nie mogliśmy chwilowo sprawdzić stanów magazynowych. Prosimy odświeżyć stronę.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (2500 na rolce)
2,47 zł
(bez VAT)
3,04 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Reel* |
| 2500 + | 2,47 zł | 6 172,50 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 122-3273
- Nr części producenta:
- DMHC3025LSD-13
- Producent:
- DiodesZetex
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
Dodatkowy tryb wzmacniający MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.
.
Tranzystory MOSFET, Diody Inc.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N, P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 2,5 A; 7,8 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 30 V |
| Typ opakowania | SOIC |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 8 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 40 mΩ, 80 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 1,5 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pełny mostek |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 11,4 nC przy 10 V, 11,7 nC przy 10 V |
| Długość | 4.95mm |
| Liczba elementów na układ | 4 |
| Szerokość | 3.95mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Wysokość | 1.5mm |
- Nr art. RS:
- 122-3273
- Nr części producenta:
- DMHC3025LSD-13
- Producent:
- DiodesZetex