MOSFET N-kanałowy 80 A PQFN8 100 V SMD Pojedynczy 104 W 14 mΩ
- Nr art. RS:
- 124-1319
- Nr części producenta:
- FDMS86101
- Producent:
- onsemi
Przepraszamy, nie mogliśmy chwilowo sprawdzić stanów magazynowych. Prosimy odświeżyć stronę.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (3000 na rolce)
4,34 zł
(bez VAT)
5,34 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Reel* |
| 3000 + | 4,34 zł | 13 029,00 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 124-1319
- Nr części producenta:
- FDMS86101
- Producent:
- onsemi
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
PowerTrench® N-Channel MOSFET, ponad 60A, Fairchild Semiconductor
.
Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym
On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 80 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 100 V |
| Typ opakowania | PQFN8 |
| Seria | PowerTrench |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 8 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 14 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 104 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Materiał tranzystora | Si |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 39 nC przy 10 V |
| Długość | 5.1mm |
| Szerokość | 6.25mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Wysokość | 1.05mm |
- Nr art. RS:
- 124-1319
- Nr części producenta:
- FDMS86101
- Producent:
- onsemi