- Nr art. RS:
- 124-1444
- Nr części producenta:
- FDS4675-F085
- Producent:
- onsemi
Zapas chwilowo wyczerpany, wysyłka nastąpi, gdy produkt będzie znowu dostępny
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (2500 na rolce)
3,38 zł
(bez VAT)
4,15 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit | Per Reel* |
2500 + | 3,38 zł | 8 440,00 zł |
*cena za opakowanie |
- Nr art. RS:
- 124-1444
- Nr części producenta:
- FDS4675-F085
- Producent:
- onsemi
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- US
Szczegółowe dane produktu
PowerTrench® P-Channel MOSFET, firma Fairchild Semiconductor
Tranzystory PowerTTrench® MOSFET to zoptymalizowane przełączniki mocy, które zwiększają wydajność systemu i gęstość mocy. Łączą one mały ładunek (QG) bramki, mały ładunek odzyskiwania wstecznego (Qrr) i diodę miękkiego powrotu do tyłu, co przyczynia się do szybkiego przełączania synchronicznego prostownika w zasilaczach AC/DC.
Najnowsze tranzystory PowerTrench® MOSFET tworzą ekranowaną strukturę, która zapewnia równowagę opłat. Dzięki wykorzystaniu tej Advanced Technology, FOM (rysunek połączenia) tych urządzeń jest znacznie niższy niż poprzednich generacji.
Wydajność diod z miękkiej obudowy tranzystorów MOSFET PowerTTrench® pozwala wyeliminować obwody tabakowe lub zastąpić wyższy stopień napięcia MOSFET.
Najnowsze tranzystory PowerTrench® MOSFET tworzą ekranowaną strukturę, która zapewnia równowagę opłat. Dzięki wykorzystaniu tej Advanced Technology, FOM (rysunek połączenia) tych urządzeń jest znacznie niższy niż poprzednich generacji.
Wydajność diod z miękkiej obudowy tranzystorów MOSFET PowerTTrench® pozwala wyeliminować obwody tabakowe lub zastąpić wyższy stopień napięcia MOSFET.
.
Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym
On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Typ kanału | P |
Maksymalny ciągły prąd drenu | 11 A |
Maksymalne napięcie dren-źródło | 40 V |
Seria | PowerTrench |
Typ opakowania | SOIC |
Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
Liczba styków | 8 |
Maksymalna rezystancja dren-źródło | 21 mΩ |
Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
Minimalne napięcie progowe VGS | 1V |
Maksymalna strata mocy | 2,4 W |
Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
Liczba elementów na układ | 1 |
Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
Szerokość | 3.9mm |
Materiał tranzystora | Si |
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 40 nC przy 4,5 V |
Długość | 4.9mm |
Minimalna temperatura robocza | -55°C |
Wysokość | 1.575mm |