MOSFET N-kanałowy 3 A TO-3P 900 V Pojedynczy 80 W 7 Ω
- Nr art. RS:
- 124-3649
- Nr części producenta:
- 2SK1339-E
- Producent:
- Renesas Electronics
W magazynie, dostawa w ciągu 5 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 2)
14,32 zł
(bez VAT)
17,61 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 2 - 2 | 14,32 zł | 28,64 zł |
| 4 - 8 | 12,92 zł | 25,84 zł |
| 10 - 48 | 11,70 zł | 23,40 zł |
| 50 - 98 | 10,75 zł | 21,49 zł |
| 100 + | 9,95 zł | 19,89 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 124-3649
- Nr części producenta:
- 2SK1339-E
- Producent:
- Renesas Electronics
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- JP
Szczegółowe dane produktu
Tranzystory MOSFET pod wysokim napięciem - 150 V i więcej, firmy Renesas Electronics
.
Tranzystory MOSFET, Renesas Electronics (NEC)
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 3 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 900 V |
| Typ opakowania | TO-3P |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 + Tab |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 7 Ω |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalna strata mocy | 80 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V |
| Długość | 15.6mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Szerokość | 4.8mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Napięcie przewodzenia diody | 0.9V |
| Wysokość | 19.9mm |
- Nr art. RS:
- 124-3649
- Nr części producenta:
- 2SK1339-E
- Producent:
- Renesas Electronics