MOSFET N-kanałowy 25 A WPAK 150 V SMD Pojedynczy 30 W 58 mΩ
- Nr art. RS:
- 124-3704
- Nr części producenta:
- RJK1557DPA-WS#J0
- Producent:
- Renesas Electronics
W magazynie, dostawa w ciągu 5 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 5)
7,28 zł
(bez VAT)
8,95 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 5 - 5 | 7,28 zł | 36,38 zł |
| 10 - 20 | 6,55 zł | 32,73 zł |
| 25 - 120 | 5,95 zł | 29,74 zł |
| 125 - 245 | 5,46 zł | 27,29 zł |
| 250 + | 5,04 zł | 25,18 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 124-3704
- Nr części producenta:
- RJK1557DPA-WS#J0
- Producent:
- Renesas Electronics
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Tranzystory MOSFET pod wysokim napięciem - 150 V i więcej, firmy Renesas Electronics
.
Tranzystory MOSFET, Renesas Electronics (NEC)
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 25 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 150 V |
| Typ opakowania | WPAK |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 8 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 58 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalna strata mocy | 30 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Materiał tranzystora | Si |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Długość | 4.9mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 20 nC przy 10 V |
| Szerokość | 5.9mm |
| Wysokość | 0.8mm |
| Napięcie przewodzenia diody | 1.4V |
- Nr art. RS:
- 124-3704
- Nr części producenta:
- RJK1557DPA-WS#J0
- Producent:
- Renesas Electronics