MOSFET N-kanałowy 171 A TO-247AC 150 V Pojedynczy 517 W 6 miliomów
- Nr art. RS:
- 124-9020
- Nr części producenta:
- IRFP4568PBF
- Producent:
- Infineon
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 16.01.2025, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w tubie á 25)
23,93 zł
(bez VAT)
29,44 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Tube* |
| 25 - 25 | 23,93 zł | 598,35 zł |
| 50 - 100 | 22,02 zł | 550,50 zł |
| 125 + | 20,82 zł | 520,58 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 124-9020
- Nr części producenta:
- IRFP4568PBF
- Producent:
- Infineon
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- MX
Szczegółowe dane produktu
Tranzystor MOSFET, Infineon, sterowanie silnikiem i przemienny prostownik prostowniczy AC-DC
MOSFET kontroli silnika
Infineon oferuje kompleksową ofertę wytrzymałych urządzeń N-channel i P-channel MOSFET do sterowania silnikami.
Tranzystor synchroniczny MOSFET
Oferta synchronicznych urządzeń rektyfikacyjnych MOSFET do zasilaczy AC-DC zaspokaja potrzeby klientów w zakresie większej gęstości mocy, mniejszej wielkości, przenośności i bardziej elastycznych systemów.
.
Tranzystory MOSFET, Infineon
Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 171 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 150 V |
| Typ opakowania | TO-247AC |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 6 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 5V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 3V |
| Maksymalna strata mocy | 517 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 151 nC przy 10 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Długość | 15.87mm |
| Szerokość | 5.31mm |
| Wysokość | 20.7mm |
| Seria | HEXFET |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
- Nr art. RS:
- 124-9020
- Nr części producenta:
- IRFP4568PBF
- Producent:
- Infineon