MOSFET N-kanałowy 9,1 A; 11 A SOIC 30 V SMD 2 W 13.7 mΩ, 20.5 mΩ
- Nr art. RS:
- 130-0964
- Nr części producenta:
- IRF7907TRPBF
- Producent:
- Infineon
4890 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 10)
3,94 zł
(bez VAT)
4,84 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 10 - 40 | 3,94 zł | 39,38 zł |
| 50 - 90 | 3,74 zł | 37,40 zł |
| 100 - 240 | 2,96 zł | 29,57 zł |
| 250 - 490 | 2,06 zł | 20,61 zł |
| 500 + | 2,01 zł | 20,12 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 130-0964
- Nr części producenta:
- IRF7907TRPBF
- Producent:
- Infineon
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Podwójny MOSFET o mocy N-Channel, Infineon
Infineon tranzystory MOSFET o podwójnym zasilaniu integrują dwa urządzenia HEXFET®, aby zapewnić oszczędność miejsca i ekonomiczne rozwiązania przełączania w konstrukcjach o dużej gęstości składników, gdzie przestrzeń płyty jest bardzo duża. Dostępne są różne opcje pakietów, a projektanci mogą wybrać konfigurację dwukanałową.
.
Tranzystory MOSFET, Infineon
Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 9,1 A; 11 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 30 V |
| Typ opakowania | SOIC |
| Seria | HEXFET |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 8 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 13.7 mΩ, 20.5 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 2.35V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 1.35V |
| Maksymalna strata mocy | 2 W |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Liczba elementów na układ | 2 |
| Szerokość | 4mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 14 nC przy 4,5 V, 6,7 nC przy 4,5 V |
| Długość | 5mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Wysokość | 1.5mm |
| Napięcie przewodzenia diody | 1V |
- Nr art. RS:
- 130-0964
- Nr części producenta:
- IRF7907TRPBF
- Producent:
- Infineon