MOSFET N-kanałowy 63 A DPAK (TO-252) 100 V SMD 140 W 16 miliomów

Nr art. RS:: 130-1020
Nr części producenta:: IRLR3110ZTRLPBF
Producent:: Infineon

MOSFET N-kanałowy 63 A DPAK (TO-252) 100 V SMD 140 W 16 miliomów

Zapas chwilowo wyczerpany, wysyłka nastąpi, gdy produkt będzie znowu dostępny

Dodano do koszyka

Cena netto za szt. (opak. á 5)

6,29 zł

(bez VAT)

7,73 zł

(z VAT)

Produkty	Per unit	Za opakowanie*
5 - 20	6,29 zł	31,44 zł
25 - 45	5,78 zł	28,90 zł
50 - 120	5,43 zł	27,13 zł
125 - 245	5,00 zł	25,00 zł
250 +	4,61 zł	23,04 zł
*cena za opakowanie

Nr art. RS:: 130-1020
Nr części producenta:: IRLR3110ZTRLPBF
Producent:: Infineon

Dane techniczne

Atesty i certyfikaty

Szczegółowe dane produktu

Tranzystor MOSFET o mocy wyjściowej 100 V, Infineon, niekanałowy

Dyskretne tranzystory zasilające MOSFET HEXFET® firmy Infineon zawierają urządzenia N-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych. I wielkości obudowy, które mogą sprostać niemal każdemu wyzwaniu związanemu z projektem płyty głównej i projektem termicznym. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu.

.

Tranzystory MOSFET, Infineon

Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.

Dane techniczne

Atrybut	Parametr
Typ kanału	N
Maksymalny ciągły prąd drenu	63 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	100 V
Typ opakowania	DPAK (TO-252)
Seria	HEXFET
Typ montażu	Montaż powierzchniowy
Liczba styków	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło	16 miliomów
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS	2.5V
Minimalne napięcie progowe VGS	1V
Maksymalna strata mocy	140 W
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-16 V, +16 V
Maksymalna temperatura robocza	+175°C
Szerokość	9.65mm
Długość	10.67mm
Liczba elementów na układ	1
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	34 nC przy 4,5 V
Wysokość	4.83mm
Napięcie przewodzenia diody	1.3V
Minimalna temperatura robocza	-55°C

Nr art. RS:: 130-1020
Nr części producenta:: IRLR3110ZTRLPBF
Producent:: Infineon