MOSFET N-kanałowy 17 A DPAK (TO-252) 100 V SMD 79 W 150 miliomów

Nr art. RS:: 130-1021
Nr części producenta:: IRLR3410TRLPBF
Producent:: Infineon

MOSFET N-kanałowy 17 A DPAK (TO-252) 100 V SMD 79 W 150 miliomów

Przepraszamy, nie mogliśmy chwilowo sprawdzić stanów magazynowych. Prosimy odświeżyć stronę.

Wysyłka standardowa

Dodano do koszyka

Cena netto za szt. (opak. á 25)

3,62 zł

(bez VAT)

4,46 zł

(z VAT)

Produkty	Per unit	Za opakowanie*
25 - 100	3,62 zł	90,60 zł
125 - 225	3,44 zł	86,05 zł
250 - 600	3,30 zł	82,45 zł
625 - 1225	3,08 zł	77,00 zł
1250 +	2,90 zł	72,45 zł
*cena za opakowanie

Nr art. RS:: 130-1021
Nr części producenta:: IRLR3410TRLPBF
Producent:: Infineon

Dane techniczne

Atesty i certyfikaty

Szczegółowe dane produktu

Tranzystor MOSFET o mocy wyjściowej 100 V, Infineon, niekanałowy

Dyskretne tranzystory zasilające MOSFET HEXFET® firmy Infineon zawierają urządzenia N-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych. I wielkości obudowy, które mogą sprostać niemal każdemu wyzwaniu związanemu z projektem płyty głównej i projektem termicznym. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu.

Infineon IRLR3410 to jednokanałowy tranzystor N 100V HEXFET Power MOSFET w pakiecie D-Pak. D-PAK jest przeznaczony do montażu powierzchniowego przy użyciu technik luzowania fazy lotnej, podczerwieni lub fali.

Technologia Advanced Process
Szybkie przełączanie
W pełni lawinowy

.

Tranzystory MOSFET, Infineon

Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.

Dane techniczne

Atrybut	Parametr
Typ kanału	N
Maksymalny ciągły prąd drenu	17 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	100 V
Seria	HEXFET
Typ opakowania	DPAK (TO-252)
Typ montażu	Montaż powierzchniowy
Liczba styków	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło	150 miliomów
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS	2V
Minimalne napięcie progowe VGS	1V
Maksymalna strata mocy	79 W
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-16 V, +16 V
Liczba elementów na układ	1
Szerokość	6.22mm
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	34 nC przy 5 V
Maksymalna temperatura robocza	+175°C
Długość	6.73mm
Napięcie przewodzenia diody	1.3V
Wysokość	2.39mm
Minimalna temperatura robocza	-55°C

Nr art. RS:: 130-1021
Nr części producenta:: IRLR3410TRLPBF
Producent:: Infineon