MOSFET N-kanałowy 200 mA SOT-23 60 V SMD Pojedynczy 1,06 W 4,5 oma

Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa 500 sztuk/i (dostarczane na szpuli)*

306,00 zł

(bez VAT)

376,50 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Ograniczona ilość
  • 100 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
500 - 9000,612 zł
1000 - 24000,574 zł
2500 - 49000,529 zł
5000 +0,486 zł

*cena orientacyjna

Rodzaj opakowania:
Nr art. RS:
136-4825P
Nr części producenta:
BSS138AKAR
Producent:
Nexperia
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Nexperia

Typ kanału

N

Maksymalny ciągły prąd drenu

200 mA

Maksymalne napięcie dren-źródło

60 V

Seria

BSS138AKA

Typ opakowania

SOT-23

Typ montażu

Montaż powierzchniowy

Liczba styków

3

Maksymalna rezystancja dren-źródło

4,5 oma

Tryb kanałowy

Rozszerzenie

Maksymalne napięcie progowe VGS

1.5V

Minimalne napięcie progowe VGS

0.8V

Maksymalna strata mocy

1,06 W

Konfiguracja tranzystora

Pojedynczy

Maksymalne napięcie bramka-źródło

-20 V, +20 V

Liczba elementów na układ

1

Długość

3mm

Maksymalna temperatura robocza

+150°C

Szerokość

1.4mm

Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs

0,39 nC przy 4,5 V

Norma motoryzacyjna

AEC-Q101

Napięcie przewodzenia diody

1.2V

Wysokość

1mm

Minimalna temperatura robocza

-55°C

MOSFET N-Channel, od 60 V do 80 V, Nexperia


.



Tranzystory MOSFET, półprzewodniki NXP