Ostatnio wyszukiwane

    MOSFET P-kanałowy 11,5 A TO-220AB 200 V Pojedynczy 120 W 470 mΩ

    Nr art. RS:
    145-4304
    Nr części producenta:
    FQP12P20
    Producent:
    onsemi
    onsemi
    Zobacz wszystkie Tranzystory MOSFET
    600 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
    Add to Basket
    Sztuki

    Wysyłka standardowa

    Dodano do koszyka

    Cena netto za szt. (w tubie á 50)

    10,18 zł

    (bez VAT)

    12,52 zł

    (z VAT)

    SztukiPer unitPer Tube*
    50 +10,18 zł509,10 zł
    *cena za opakowanie
    Nr art. RS:
    145-4304
    Nr części producenta:
    FQP12P20
    Producent:
    onsemi

    Atesty i certyfikaty


    Szczegółowe dane produktu

    QFET® P-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor




    Dane techniczne

    AtrybutParametr
    Typ kanałuP
    Maksymalny ciągły prąd drenu11,5 A
    Maksymalne napięcie dren-źródło200 V
    Typ opakowaniaTO-220AB
    Typ montażuOtwór przezierny
    Liczba styków3
    Maksymalna rezystancja dren-źródło470 mΩ
    Tryb kanałowyRozszerzenie
    Minimalne napięcie progowe VGS3V
    Maksymalna strata mocy120 W
    Konfiguracja tranzystoraPojedynczy
    Maksymalne napięcie bramka-źródło-30 V, +30 V
    Maksymalna temperatura robocza+150°C
    Szerokość4.7mm
    Liczba elementów na układ1
    Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs31 nC przy 10 V
    Materiał tranzystoraSi
    Długość10.1mm
    Wysokość9.4mm
    SeriaQFET
    Minimalna temperatura robocza-55°C
    600 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
    Add to Basket
    Sztuki

    Wysyłka standardowa

    Dodano do koszyka

    Cena netto za szt. (w tubie á 50)

    10,18 zł

    (bez VAT)

    12,52 zł

    (z VAT)

    SztukiPer unitPer Tube*
    50 +10,18 zł509,10 zł
    *cena za opakowanie