MOSFET N-kanałowy 170 A D2PAK (TO-263) 40 V SMD Pojedynczy 200 W 3,6 milioma

Nr art. RS:: 145-8672
Nr części producenta:: IRF2204SPBF
Producent:: Infineon

MOSFET N-kanałowy 170 A D2PAK (TO-263) 40 V SMD Pojedynczy 200 W 3,6 milioma

Ten produkt jest niedostępny.

Przepraszamy, ale obecnie nie posiadamy tego produktu w magazynie i nie ma możliwości jego zamówienia.

Dodano do koszyka

Cena netto za szt. (w tubie á 50)

7,36 zł

(bez VAT)

9,05 zł

(z VAT)

Produkty	Per unit	Per Tube*
50 - 50	7,36 zł	368,00 zł
100 - 200	5,89 zł	294,40 zł
250 - 450	5,59 zł	279,70 zł
500 - 950	5,30 zł	264,95 zł
1000 +	5,08 zł	253,95 zł
*cena za opakowanie

Nr art. RS:: 145-8672
Nr części producenta:: IRF2204SPBF
Producent:: Infineon

Dane techniczne

Atesty i certyfikaty

Kraj pochodzenia:: CN

Szczegółowe dane produktu

MOSFET o mocy 40 V, Infineon

Seria Infineon tranzystorów zasilających MOSFET HEXFET® zawiera urządzenia N-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych oraz czynniki kształtowe, które mogą sprostać niemal wszelkim wyzwaniom w zakresie układu płyty i konstrukcji termicznej. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu.

.

Tranzystory MOSFET, Infineon

Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.

Dane techniczne

Atrybut	Parametr
Typ kanału	N
Maksymalny ciągły prąd drenu	170 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	40 V
Typ opakowania	D2PAK (TO-263)
Seria	HEXFET
Typ montażu	Montaż powierzchniowy
Liczba styków	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło	3,6 milioma
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS	4V
Minimalne napięcie progowe VGS	2V
Maksymalna strata mocy	200 W
Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-20 V, +20 V
Materiał tranzystora	Si
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	130 nC przy 10 V
Maksymalna temperatura robocza	+175°C
Liczba elementów na układ	1
Szerokość	9.65mm
Długość	10.67mm
Wysokość	4.83mm
Minimalna temperatura robocza	-55°C

Nr art. RS:: 145-8672
Nr części producenta:: IRF2204SPBF
Producent:: Infineon