- Nr art. RS:
- 146-2063
- Nr części producenta:
- FDS4935BZ
- Producent:
- onsemi
- Nr art. RS:
- 146-2063
- Nr części producenta:
- FDS4935BZ
- Producent:
- onsemi
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, firma Fairchild Semiconductor
Tranzystory PowerTTrench® MOSFET to zoptymalizowane przełączniki mocy, które zwiększają wydajność systemu i gęstość mocy. Łączą one mały ładunek (QG) bramki, mały ładunek odzyskiwania wstecznego (Qrr) i diodę miękkiego powrotu do tyłu, co przyczynia się do szybkiego przełączania synchronicznego prostownika w zasilaczach AC/DC.
Najnowsze tranzystory PowerTrench® MOSFET, wykorzystujące ekranowaną strukturę bramki zapewniającą równowagę ładowania. Dzięki wykorzystaniu tej Advanced Technology, FOM (rysunek połączenia) tych urządzeń jest znacznie niższy niż w poprzedniej generacji.
Wydajność diod z miękkiej obudowy tranzystorów MOSFET PowerTTrench® umożliwia wyeliminowanie obwodu tabakorowego lub zastąpienie wyższego poziomu napięcia MOSFET.
Najnowsze tranzystory PowerTrench® MOSFET, wykorzystujące ekranowaną strukturę bramki zapewniającą równowagę ładowania. Dzięki wykorzystaniu tej Advanced Technology, FOM (rysunek połączenia) tych urządzeń jest znacznie niższy niż w poprzedniej generacji.
Wydajność diod z miękkiej obudowy tranzystorów MOSFET PowerTTrench® umożliwia wyeliminowanie obwodu tabakorowego lub zastąpienie wyższego poziomu napięcia MOSFET.
.
Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym
On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Typ kanału | P |
Maksymalny ciągły prąd drenu | 6,9 A |
Maksymalne napięcie dren-źródło | 30 V |
Typ opakowania | SOIC |
Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
Liczba styków | 8 |
Maksymalna rezystancja dren-źródło | 22 mΩ |
Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
Minimalne napięcie progowe VGS | 1V |
Maksymalna strata mocy | 1,6 W |
Konfiguracja tranzystora | Izolacja |
Maksymalne napięcie bramka-źródło | -25 V, +25 V |
Szerokość | 4mm |
Długość | 5mm |
Liczba elementów na układ | 2 |
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 29 nC przy 10 V |
Materiał tranzystora | Si |
Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
Minimalna temperatura robocza | -55°C |
Wysokość | 1.5mm |
Seria | PowerTrench |