MOSFET N-kanałowy 4,2 A SOT-23 20 V SMD Pojedynczy 1,25 W 80 miliomów

Nr art. RS:: 162-3274
Nr części producenta:: IRLML2502TRPBF
Producent:: International Rectifier

MOSFET N-kanałowy 4,2 A SOT-23 20 V SMD Pojedynczy 1,25 W 80 miliomów

Zobacz kategorię

90000 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.

Wysyłka standardowa

Dodano do koszyka

Zobacz koszyk

Cena netto za szt. (3000 na rolce)

0,56 zł

(bez VAT)

0,68 zł

(z VAT)

Produkty	Per unit	Per Reel*
3000 - 3000	0,56 zł	1 668,00 zł
6000 - 6000	0,53 zł	1 584,00 zł
9000 +	0,50 zł	1 485,00 zł
*cena za opakowanie

Nr art. RS:: 162-3274
Nr części producenta:: IRLML2502TRPBF
Producent:: International Rectifier

Dane techniczne

Atesty i certyfikaty

Niezgodne

Szczegółowe dane produktu

Pojedynczy tranzystor mocy MOSFET HEXFET kanałem N 20 V w obudowie Micro 3

Układ styków zgodny ze standardami przemysłowymi, obudowa SOT-23
Zgodność z istniejącymi technikami montażu powierzchniowego, bez zawartości halogenu
Zgodność z produktami od wielu dostawców
Łatwiejsza produkcja
Przyjazne dla środowiska
Zwiększona niezawodność

.

Dane techniczne

Atrybut	Parametr
Typ kanału	N
Maksymalny ciągły prąd drenu	4,2 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	20 V
Typ opakowania	SOT-23
Typ montażu	Montaż powierzchniowy
Liczba styków	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło	80 miliomów
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS	1.2V
Minimalne napięcie progowe VGS	0.6V
Maksymalna strata mocy	1,25 W
Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło	±12 V
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	8 nC przy 5 V
Maksymalna temperatura robocza	+150°C
Długość	3.04mm
Liczba elementów na układ	1
Szerokość	1.4mm
Minimalna temperatura robocza	-55°C
Wysokość	1.02mm
Napięcie przewodzenia diody	1.2V
Seria	IRLML2502

Nr art. RS:: 162-3274
Nr części producenta:: IRLML2502TRPBF
Producent:: International Rectifier