- Nr art. RS:
- 162-8541
- Nr części producenta:
- CSD17308Q3
- Producent:
- Texas Instruments
Zapas chwilowo wyczerpany, wysyłka nastąpi, gdy produkt będzie znowu dostępny
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (2500 na rolce)
1,21 zł
(bez VAT)
1,49 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit | Per Reel* |
2500 + | 1,21 zł | 3 025,00 zł |
*cena za opakowanie |
- Nr art. RS:
- 162-8541
- Nr części producenta:
- CSD17308Q3
- Producent:
- Texas Instruments
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- MY
Szczegółowe dane produktu
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
.
Tranzystory MOSFET, Texas Instruments
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Typ kanału | N |
Maksymalny ciągły prąd drenu | 47 A |
Maksymalne napięcie dren-źródło | 30 V |
Typ opakowania | SON |
Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
Liczba styków | 8 |
Maksymalna rezystancja dren-źródło | 16.5 mΩ |
Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
Maksymalne napięcie progowe VGS | 1.8V |
Minimalne napięcie progowe VGS | 0.9V |
Maksymalna strata mocy | 2,7 W |
Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
Maksymalne napięcie bramka-źródło | -8 V, +10 V |
Materiał tranzystora | Si |
Długość | 3.4mm |
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 3,9 nC przy 4,5 V |
Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
Szerokość | 3.4mm |
Liczba elementów na układ | 1 |
Wysokość | 1.1mm |
Seria | NexFET |
Minimalna temperatura robocza | -55°C |
- Nr art. RS:
- 162-8541
- Nr części producenta:
- CSD17308Q3
- Producent:
- Texas Instruments