MOSFET N-kanałowy NTMS4807NR2G 30 V 12,2 A 8-Pin SOIC SMD Pojedynczy Si

Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Kraj pochodzenia: PH
Szczegółowe dane produktu

N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor

Tranzystory MOSFET, ON Semiconductor

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału N
Maksymalny ciągły prąd drenu 12,2 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 30 V
Typ opakowania SOIC
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Liczba styków 8
Maksymalna rezystancja dren-źródło 7.5 mΩ
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS 3V
Maksymalna strata mocy 2,3 W
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło -20 V, +20 V
Liczba elementów na układ 1
Szerokość 4mm
Materiał tranzystora Si
Minimalna temperatura robocza -55°C
Długość 5mm
Wysokość 1.5mm
Maksymalna temperatura robocza +150°C
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 46 nC przy 10 V
Zapas chwilowo wyczerpany, wysyłka nastąpi, gdy produkt będzie znowu dostępny
Cena za szt. (2500 na rolce)
1,69
(bez VAT)
2,08
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Per Reel*
2500 +
1,69 zł
4 220,00 zł
*cena za opakowanie