MOSFET P-kanałowy 3,7 A SOT-23 8 V SMD Pojedynczy 960 mW 120 mΩ
- Nr art. RS:
- 162-9612
- Nr części producenta:
- NTR2101PT1G
- Producent:
- onsemi
6000 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (3000 na rolce)
0,40 zł
(bez VAT)
0,50 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Reel* |
| 3000 + | 0,40 zł | 1 209,00 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 162-9612
- Nr części producenta:
- NTR2101PT1G
- Producent:
- onsemi
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
P-Channel Power MOSFET, 8V, ON Semiconductor
.
Tranzystory MOSFET, ON Semiconductor
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 3,7 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 8 V |
| Typ opakowania | SOT-23 |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 120 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 1V |
| Maksymalna strata mocy | 960 mW |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -8 V, +8 V |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Szerokość | 1.4mm |
| Długość | 3.04mm |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Materiał tranzystora | Si |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 12 nC przy 4,5 V |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Wysokość | 1.01mm |
- Nr art. RS:
- 162-9612
- Nr części producenta:
- NTR2101PT1G
- Producent:
- onsemi