MOSFET P-kanałowy NTJS4151PT1G 20 V 4,2 A 6-Pin SOT-363 (SC-88) SMD

Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Kraj pochodzenia: CN
Szczegółowe dane produktu

P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału P
Maksymalny ciągły prąd drenu 4,2 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 20 V
Maksymalna rezystancja dren-źródło 205 mΩ
Maksymalne napięcie progowe VGS 1.2V
Maksymalne napięcie bramka-źródło -12 V, +12 V
Typ opakowania SOT-363 (SC-88)
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Liczba styków 6
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Maksymalna strata mocy 1 W
Długość 2.2mm
Szerokość 1.35mm
Minimalna temperatura robocza -55°C
Maksymalna temperatura robocza +150°C
Wysokość 1mm
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 10 nC przy 4,5 V
Materiał tranzystora Si
Liczba elementów na układ 1
3000 W magazynie, dostawa w ciągu 2 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (3000 na rolce)
0,35
(bez VAT)
0,43
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Per Reel*
3000 +
0,35 zł
1 044,00 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa