MOSFET P-kanałowy NTJS4151PT1G 20 V 4,2 A 6-Pin SOT-363 (SC-88) SMD Pojedynczy Si

Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Kraj pochodzenia: CN
Szczegółowe dane produktu

P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor

Tranzystory MOSFET, ON Semiconductor

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału P
Maksymalny ciągły prąd drenu 4,2 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 20 V
Typ opakowania SOT-363 (SC-88)
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Liczba styków 6
Maksymalna rezystancja dren-źródło 205 mΩ
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS 1.2V
Maksymalna strata mocy 1 W
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło -12 V, +12 V
Liczba elementów na układ 1
Materiał tranzystora Si
Wysokość 1mm
Minimalna temperatura robocza -55°C
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 10 nC przy 4,5 V
Szerokość 1.35mm
Maksymalna temperatura robocza +150°C
Długość 2.2mm
3000 W magazynie, dostawa w ciągu 2 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (3000 na rolce)
0,26
(bez VAT)
0,31
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Per Reel*
3000 +
0,26 zł
765,00 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa