MOSFET N-kanałowy 18 A D2PAK (TO-263) 200 V SMD Pojedynczy 150 W 150 miliomów
- Nr art. RS:
- 165-5658
- Nr części producenta:
- IRF640NSTRLPBF
- Producent:
- Infineon
1600 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (800 na rolce)
3,24 zł
(bez VAT)
3,98 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Reel* |
| 800 - 800 | 3,24 zł | 2 590,40 zł |
| 1600 - 1600 | 3,08 zł | 2 461,60 zł |
| 2400 + | 2,88 zł | 2 305,60 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 165-5658
- Nr części producenta:
- IRF640NSTRLPBF
- Producent:
- Infineon
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-Channel Power MOSFET o napięciu od 150V do 600V, Infineon
Seria Infineon tranzystorów zasilających MOSFET HEXFET® zawiera urządzenia N-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych oraz czynniki kształtowe, które mogą sprostać niemal wszelkim wyzwaniom w zakresie układu płyty i konstrukcji termicznej. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu.
.
Tranzystory MOSFET, Infineon
Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 18 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 200 V |
| Typ opakowania | D2PAK (TO-263) |
| Seria | HEXFET |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 150 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 150 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Szerokość | 9.65mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 67 nC przy 10 V |
| Długość | 10.67mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
| Materiał tranzystora | Si |
| Wysokość | 4.83mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
- Nr art. RS:
- 165-5658
- Nr części producenta:
- IRF640NSTRLPBF
- Producent:
- Infineon