MOSFET N-kanałowy 44 A DPAK (TO-252) 55 V SMD Pojedynczy 107 W 27 miliomów
- Nr art. RS:
- 165-5832
- Nr części producenta:
- IRFR1205TRPBF
- Producent:
- Infineon
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 28.04.2025, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (2000 na rolce)
2,16 zł
(bez VAT)
2,66 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Reel* |
| 2000 - 2000 | 2,16 zł | 4 322,00 zł |
| 4000 + | 2,05 zł | 4 106,00 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 165-5832
- Nr części producenta:
- IRFR1205TRPBF
- Producent:
- Infineon
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- MX
Szczegółowe dane produktu
MOSFET o mocy N-Channel 55 V, Infineon
Seria Infineon tranzystorów zasilających MOSFET HEXFET® zawiera urządzenia N-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych oraz czynniki kształtowe, które mogą sprostać niemal wszelkim wyzwaniom w zakresie układu płyty i konstrukcji termicznej. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu.
.
Tranzystory MOSFET, Infineon
Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 44 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 55 V |
| Seria | HEXFET |
| Typ opakowania | DPAK (TO-252) |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 27 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 107 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Szerokość | 6.22mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 65 nC przy 10 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
| Długość | 6.73mm |
| Wysokość | 2.39mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
- Nr art. RS:
- 165-5832
- Nr części producenta:
- IRFR1205TRPBF
- Producent:
- Infineon