MOSFET P-kanałowy SI2377EDS-T1-GE3 20 V 3,5 A 3-Pin SOT-23 (TO-236) SMD Pojedynczy Si

  • Nr art. RS 165-6912
  • Nr części producenta SI2377EDS-T1-GE3
  • Producent Vishay
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Kraj pochodzenia: CN
Szczegółowe dane produktu

P-Channel MOSFET, 8 V do 20 V, Vishay Semiconductor

Tranzystory MOSFET, Vishay Semiconductor

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału P
Maksymalny ciągły prąd drenu 3,5 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 20 V
Typ opakowania SOT-23 (TO-236)
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Liczba styków 3
Maksymalna rezystancja dren-źródło 165 mΩ
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Minimalne napięcie progowe VGS 0.4V
Maksymalna strata mocy 1,8 W
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło -8 V, +8 V
Liczba elementów na układ 1
Wysokość 1.02mm
Szerokość 1.4mm
Minimalna temperatura robocza -55°C
Maksymalna temperatura robocza +150°C
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 14 nC przy 8 V
Długość 3.04mm
Materiał tranzystora Si
6000 W magazynie, dostawa w ciągu 2 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (3000 na rolce)
0,71
(bez VAT)
0,87
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Per Reel*
3000 +
0,71 zł
2 118,00 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa