MOSFET P-kanałowy STD10P6F6 60 V 10 A 3-Pin DPAK (TO-252) SMD

Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Kraj pochodzenia: CN
Szczegółowe dane produktu

P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału P
Maksymalny ciągły prąd drenu 10 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 60 V
Maksymalna rezystancja dren-źródło 160 mΩ
Maksymalne napięcie progowe VGS 4V
Minimalne napięcie progowe VGS 2V
Maksymalne napięcie bramka-źródło -20 V, +20 V
Typ opakowania DPAK (TO-252)
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Liczba styków 3
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Kategoria MOSFET zasilania
Maksymalna strata mocy 30 W
Typowy czas opóźnienia włączenia 64 ns
Szerokość 7.45mm
Liczba elementów na układ 1
Długość 6.6mm
Wymiary 6.6 x 7.45 x 2.38mm
Napięcie przewodzenia diody 1.1V
Typowy czas opóźnienia wyłączenia 14 ns
Materiał tranzystora Si
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 6,4 nC przy 10 V
Wysokość 2.38mm
Seria STripFET
Maksymalna temperatura robocza +175°C
Typowa reaktancja pojemnościowa na wejściu przy określonym napięciu Vds 340 pF przy -48 V
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 09.05.2019, dostawa w ciągu 2 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (2500 na rolce)
2,00
(bez VAT)
2,46
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Per Reel*
2500 +
2,00 zł
5 007,50 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa