- Nr art. RS:
- 165-8005
- Nr części producenta:
- STD10P6F6
- Producent:
- STMicroelectronics
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 20.11.2024, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (2500 na rolce)
1,65 zł
(bez VAT)
2,03 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit | Per Reel* |
2500 + | 1,65 zł | 4 115,00 zł |
*cena za opakowanie |
- Nr art. RS:
- 165-8005
- Nr części producenta:
- STD10P6F6
- Producent:
- STMicroelectronics
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
P-Channel STripFET™ Moc energetyczna MOSFET, STMicroelectronics
Tranzystory MOSFET STripFET™ o szerokim zakresie napięć zasilających zapewniają bardzo niski poziom naładowania bramki i niską rezystancję.
.
Tranzystory MOSFET STMicroelectronics
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Typ kanału | P |
Maksymalny ciągły prąd drenu | 10 A |
Maksymalne napięcie dren-źródło | 60 V |
Typ opakowania | DPAK (TO-252) |
Seria | STripFET |
Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
Liczba styków | 3 |
Maksymalna rezystancja dren-źródło | 160 miliomów |
Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
Maksymalna strata mocy | 30 W |
Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
Liczba elementów na układ | 1 |
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 6,4 nC przy 10 V |
Długość | 6.6mm |
Materiał tranzystora | Si |
Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
Szerokość | 7.45mm |
Wysokość | 2.38mm |
Napięcie przewodzenia diody | 1.1V |