MOSFET P-kanałowy 30 A DPAK (TO-252) 60 V SMD Pojedynczy 125 W 75 miliomów
- Nr art. RS:
- 165-8011
- Nr części producenta:
- SPD30P06PGBTMA1
- Producent:
- Infineon
7500 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (2500 na rolce)
3,36 zł
(bez VAT)
4,13 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Reel* |
| 2500 + | 3,36 zł | 8 395,00 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 165-8011
- Nr części producenta:
- SPD30P06PGBTMA1
- Producent:
- Infineon
Atesty i certyfikaty
Zwolniony
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET
Infineon SIPMOS ® - małe, cyfrowe tranzystory MOSFET z sygnałem P - mają kilka funkcji, które mogą obejmować tryb poprawy, prąd ciągłego spustu o wartości około -80A oraz szeroki zakres temperatur pracy. Tranzystor mocy SIPMOS może być używany w różnych zastosowaniach, w tym w telekomunikacji, eMobility, notebookach, urządzeniach DC/DC, a także w przemyśle motoryzacyjnym.
· Zakwalifikowana opcja AEC Q101 (więcej informacji znajduje się w arkuszu danych)
· bezołowiowe platerowanie, zgodne z dyrektywą RoHS
· bezołowiowe platerowanie, zgodne z dyrektywą RoHS
.
Tranzystory MOSFET, Infineon
Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 30 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 60 V |
| Seria | SIPMOS |
| Typ opakowania | DPAK (TO-252) |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 75 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalna strata mocy | 125 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Szerokość | 6.22mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 32 nC przy 10 V |
| Długość | 6.73mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
| Materiał tranzystora | Si |
| Wysokość | 2.41mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Napięcie przewodzenia diody | 1.7V |
- Nr art. RS:
- 165-8011
- Nr części producenta:
- SPD30P06PGBTMA1
- Producent:
- Infineon