MOSFET N-kanałowy IRF7403TRPBF 30 V 8,5 A 8-Pin SOIC SMD

  • Nr art. RS 165-8276
  • Nr części producenta IRF7403TRPBF
  • Producent Infineon
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Szczegółowe dane produktu

N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału N
Maksymalny ciągły prąd drenu 8,5 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 30 V
Maksymalna rezystancja dren-źródło 35 mΩ
Minimalne napięcie progowe VGS 1V
Maksymalne napięcie bramka-źródło -20 V, +20 V
Typ opakowania SOIC
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Liczba styków 8
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Maksymalna strata mocy 2,5 W
Długość 5mm
Maksymalna temperatura robocza +150°C
Seria HEXFET
Wysokość 1.5mm
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 57 nC przy 10 V
Materiał tranzystora Si
Napięcie przewodzenia diody 1V
Liczba elementów na układ 1
Szerokość 4mm
Minimalna temperatura robocza -55°C
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 26.11.2019, dostawa w ciągu 2 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (4000 na rolce)
1,84
(bez VAT)
2,27
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Per Reel*
4000 +
1,84 zł
7 376,00 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa