MOSFET P-kanałowy podwójny IRF7306PBF 30 V 3,6 A 8-Pin SOIC SMD
- Nr art. RS 166-1069
- Nr części producenta IRF7306PBF
- Producent Infineon
P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
| Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 3,6 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 30 V |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 160 mΩ |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 1V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 1V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Typ opakowania | SOIC |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Konfiguracja tranzystora | Izolacja |
| Liczba styków | 8 |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalna strata mocy | 2 W |
| Szerokość | 4mm |
| Liczba elementów na układ | 2 |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Długość | 5mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 25 nC przy 10 V |
| Wysokość | 1.5mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Seria | HEXFET |
