MOSFET P-kanałowy podwójny IRF7306PBF 30 V 3,6 A 8-Pin SOIC SMD HEXFET Izolacja Si
- Nr art. RS 166-1069
- Nr części producenta IRF7306PBF
- Producent Infineon
MOSFET o mocy 30 V, Infineon
Seria Infineon tranzystorów zasilających MOSFET HEXFET® zawiera urządzenia P-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych oraz czynniki kształtowe, które mogą sprostać niemal wszelkim wyzwaniom w zakresie układu płyty i konstrukcji termicznej. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu.
Tranzystory MOSFET, Infineon
Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.
| Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 3,6 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 30 V |
| Typ opakowania | SOIC |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 8 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 160 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 1V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 1V |
| Maksymalna strata mocy | 2 W |
| Konfiguracja tranzystora | Izolacja |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Liczba elementów na układ | 2 |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 25 nC przy 10 V |
| Wysokość | 1.5mm |
| Seria | HEXFET |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Długość | 5mm |
| Szerokość | 4mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Materiał tranzystora | Si |
