MOSFET P-kanałowy podwójny IRF7306PBF 30 V 3,6 A 8-Pin SOIC SMD

  • Nr art. RS 166-1069
  • Nr części producenta IRF7306PBF
  • Producent Infineon
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Szczegółowe dane produktu

P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału P
Maksymalny ciągły prąd drenu 3,6 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 30 V
Maksymalna rezystancja dren-źródło 160 mΩ
Maksymalne napięcie progowe VGS 1V
Minimalne napięcie progowe VGS 1V
Maksymalne napięcie bramka-źródło -20 V, +20 V
Typ opakowania SOIC
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Konfiguracja tranzystora Izolacja
Liczba styków 8
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Maksymalna strata mocy 2 W
Szerokość 4mm
Liczba elementów na układ 2
Minimalna temperatura robocza -55°C
Długość 5mm
Materiał tranzystora Si
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 25 nC przy 10 V
Wysokość 1.5mm
Maksymalna temperatura robocza +150°C
Seria HEXFET
2945 W magazynie, dostawa w ciągu 2 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (w tubie á 95)
Było 176,27 zł
0,86
(bez VAT)
1,05
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Per Tube*
95 +
0,86 zł
81,32 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa