![]() ![]() RoHS Certificate of Compliance EU Directives 2011/65/EU and 2015/863 restrict the use of the 10 substances below in the manufacture of specified types of electrical equipment. The restricted substances and maximum allowed concentrations in the homogenous material are, by weight:Whilst this restriction does not legally apply to components, it is recognised that component “compliance” is relevant to many customers. RS definition of RoHS Compliance:
The supplier of the item listed below has informed RS Components that the product is “RoHS Compliant”. RS Components has taken all reasonable steps to confirm this statement. Information relates only to products sold on or after the date of this certificate. Compliant product details |
|||||||||||||||||||||||
Numer magazynowy RS | 166-1069 | ||||||||||||||||||||||
Opis produktu: | MOSFET P-kanałowy podwójny IRF7306PBF 30 V 3,6 A 8-Pin SOIC SMD HEXFET Izolacja Si | ||||||||||||||||||||||
Producent/marka: | Infineon | ||||||||||||||||||||||
Numer części producenta: | IRF7306PBF | ||||||||||||||||||||||
RS Components Sp. z o.o. ul. Puławska 303 02-785 Warszawa / Polska |
Seria Infineon tranzystorów zasilających MOSFET HEXFET® zawiera urządzenia P-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych oraz czynniki kształtowe, które mogą sprostać niemal wszelkim wyzwaniom w zakresie układu płyty i konstrukcji termicznej. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu.
Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.
Atrybut | Parametr |
---|---|
Typ kanału | P |
Maksymalny ciągły prąd drenu | 3,6 A |
Maksymalne napięcie dren-źródło | 30 V |
Typ opakowania | SOIC |
Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
Liczba styków | 8 |
Maksymalna rezystancja dren-źródło | 160 mΩ |
Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
Maksymalne napięcie progowe VGS | 1V |
Minimalne napięcie progowe VGS | 1V |
Maksymalna strata mocy | 2 W |
Konfiguracja tranzystora | Izolacja |
Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
Liczba elementów na układ | 2 |
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 25 nC przy 10 V |
Wysokość | 1.5mm |
Seria | HEXFET |
Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
Długość | 5mm |
Szerokość | 4mm |
Minimalna temperatura robocza | -55°C |
Materiał tranzystora | Si |