MOSFET P-kanałowy 5,9 A SOT-223 30 V SMD Pojedynczy 3 W 90 mΩ

Na temat półprzewodników z serii P-Channel MOSFET produkowanych jest metodą ON Semi, o dużej gęstości komórek, opartą na technologii DMOS. Ten proces o bardzo dużej gęstości został zaprojektowany w taki sposób, aby zminimalizować odporność na zmiany stanu w celu zapewnienia solidnej i niezawodnej wydajności przy szybkim przełączaniu.

• Przełącznik małego sygnału P-Channel sterowany napięciem
• Konstrukcja komórek o wysokiej gęstości
• Wysokie natężenie nasycenia
• Doskonałe przełączanie
• Wysoka wytrzymałość i niezawodność
• Technologia DMOS

• Przełączanie obciążenia
• Przetwornik DC/DC
• Zabezpieczenie akumulatora
• Kontrola zarządzania energią
• Sterowanie silnikiem prądu stałego

Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym

On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.