MOSFET P-kanałowy SI4435DY 30 V 8,8 A 8-Pin SOIC SMD

Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Kraj pochodzenia: US
Szczegółowe dane produktu

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor

Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału P
Maksymalny ciągły prąd drenu 8,8 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 30 V
Maksymalna rezystancja dren-źródło 35 mΩ
Minimalne napięcie progowe VGS 1V
Maksymalne napięcie bramka-źródło -20 V, +20 V
Typ opakowania SOIC
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Liczba styków 8
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Kategoria MOSFET zasilania
Maksymalna strata mocy 2,5 W
Wysokość 1.57mm
Seria PowerTrench
Typowa reaktancja pojemnościowa na wejściu przy określonym napięciu Vds 1604 pF przy -15 V
Typowy czas opóźnienia włączenia 13 ns
Szerokość 3.9mm
Liczba elementów na układ 1
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 17 nC przy 5 V
Wymiary 4.9 x 3.9 x 1.57mm
Napięcie przewodzenia diody 1.2V
Transkonduktancja przewodzenia 24S
Typowy czas opóźnienia wyłączenia 42 ns
Materiał tranzystora Si
Maksymalna temperatura robocza +175°C
Długość 4.9mm
Minimalna temperatura robocza -55°C
2500 W magazynie, dostawa w ciągu 2 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (2500 na rolce)
1,76
(bez VAT)
2,17
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Per Reel*
2500 +
1,76 zł
4 405,00 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa