MOSFET P-kanałowy 8,4 A DPAK (TO-252) 40 V SMD Pojedynczy 69 W 42 miliomy
- Nr art. RS:
- 166-3419
- Nr części producenta:
- FDD4685
- Producent:
- onsemi
5000 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (2500 na rolce)
2,33 zł
(bez VAT)
2,86 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Reel* |
| 2500 + | 2,33 zł | 5 820,00 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 166-3419
- Nr części producenta:
- FDD4685
- Producent:
- onsemi
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
MOSFET - samochodowy P-Channel, półprzewodnikowy Fairchild Semiconductor
Firma Fairchild Semiconductor dostarcza rozwiązania, które rozwiązują złożone wyzwania na rynku motoryzacyjnym. Dzięki szczegółowej analizie standardów jakości, bezpieczeństwa i niezawodności.
.
Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym
On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 8,4 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 40 V |
| Seria | PowerTrench |
| Typ opakowania | DPAK (TO-252) |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 42 miliomy |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 1V |
| Maksymalna strata mocy | 69 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Szerokość | 6.22mm |
| Długość | 6.73mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Materiał tranzystora | Si |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 19 nC przy 5 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Wysokość | 2.39mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
- Nr art. RS:
- 166-3419
- Nr części producenta:
- FDD4685
- Producent:
- onsemi