MOSFET N-kanałowy 13 A TO-220FP 600 V Pojedynczy 35 W 550 miliomów
- Nr art. RS:
- 168-7487
- Nr części producenta:
- STP13NK60ZFP
- Producent:
- STMicroelectronics
Przepraszamy, nie mogliśmy chwilowo sprawdzić stanów magazynowych. Prosimy odświeżyć stronę.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w tubie á 50)
9,50 zł
(bez VAT)
11,68 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Tube* |
| 50 - 50 | 9,50 zł | 475,00 zł |
| 100 - 450 | 7,62 zł | 381,00 zł |
| 500 - 950 | 6,78 zł | 339,15 zł |
| 1000 - 4950 | 5,71 zł | 285,50 zł |
| 5000 + | 5,52 zł | 276,00 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 168-7487
- Nr części producenta:
- STP13NK60ZFP
- Producent:
- STMicroelectronics
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V do 650V, STMicroelectronics
.
Tranzystory MOSFET STMicroelectronics
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 13 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 600 V |
| Typ opakowania | TO-220FP |
| Seria | MDmesh, SuperMESH |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 550 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4.5V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 3V |
| Maksymalna strata mocy | 35 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Szerokość | 4.6mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 66 nC przy 10 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Długość | 10.4mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Wysokość | 16.4mm |