MOSFET N-kanałowy 18 A TO-220 200 V Pojedynczy 110 W 125 miliomów
- Nr art. RS:
- 168-7497
- Nr części producenta:
- STP20NF20
- Producent:
- STMicroelectronics
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 16.05.2025, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w tubie á 50)
7,00 zł
(bez VAT)
8,60 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Tube* |
| 50 - 50 | 7,00 zł | 349,75 zł |
| 100 - 200 | 5,25 zł | 262,30 zł |
| 250 + | 4,72 zł | 236,10 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 168-7497
- Nr części producenta:
- STP20NF20
- Producent:
- STMicroelectronics
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
.
Tranzystory MOSFET STMicroelectronics
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 18 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 200 V |
| Seria | STripFET |
| Typ opakowania | TO-220 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 125 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 110 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Szerokość | 4.6mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 28 nC przy 10 V |
| Długość | 10.4mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Wysokość | 15.75mm |
- Nr art. RS:
- 168-7497
- Nr części producenta:
- STP20NF20
- Producent:
- STMicroelectronics