MOSFET N-kanałowy 20 A TO-220 600 V Pojedynczy 140 W 165 miliomów
- Nr art. RS:
- 168-7500
- Nr części producenta:
- STP26NM60N
- Producent:
- STMicroelectronics
Przepraszamy, nie mogliśmy chwilowo sprawdzić stanów magazynowych. Prosimy odświeżyć stronę.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w tubie á 50)
21,92 zł
(bez VAT)
26,97 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Tube* |
| 50 - 50 | 21,92 zł | 1 096,20 zł |
| 100 - 450 | 17,50 zł | 874,75 zł |
| 500 - 950 | 15,55 zł | 777,25 zł |
| 1000 - 4950 | 13,07 zł | 653,25 zł |
| 5000 + | 12,70 zł | 634,75 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 168-7500
- Nr części producenta:
- STP26NM60N
- Producent:
- STMicroelectronics
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
.
Tranzystory MOSFET STMicroelectronics
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 20 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 600 V |
| Typ opakowania | TO-220 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 165 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 140 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -25 V, +25 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Szerokość | 4.6mm |
| Długość | 10.4mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 60 nC przy 10 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Wysokość | 15.75mm |
| Seria | MDmesh |
- Nr art. RS:
- 168-7500
- Nr części producenta:
- STP26NM60N
- Producent:
- STMicroelectronics