MOSFET N-kanałowy 18 A DPAK (TO-252) 200 V SMD Pojedynczy 110 W 125 miliomów
- Nr art. RS:
- 168-7538
- Nr części producenta:
- STD20NF20
- Producent:
- STMicroelectronics
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 13.05.2025, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (2500 na rolce)
4,21 zł
(bez VAT)
5,18 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Reel* |
| 2500 + | 4,21 zł | 10 532,50 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 168-7538
- Nr części producenta:
- STD20NF20
- Producent:
- STMicroelectronics
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
.
Tranzystory MOSFET STMicroelectronics
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 18 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 200 V |
| Typ opakowania | DPAK (TO-252) |
| Seria | STripFET |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 125 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 2.5V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 1V |
| Maksymalna strata mocy | 110 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 28 nC przy 10 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Materiał tranzystora | Si |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
| Długość | 6.6mm |
| Szerokość | 6.2mm |
| Wysokość | 2.4mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
- Nr art. RS:
- 168-7538
- Nr części producenta:
- STD20NF20
- Producent:
- STMicroelectronics