MOSFET N/P-kanałowy podwójny IRF7319TRPBF 30 V 4,9 A; 6,5 A 8-Pin SOIC SMD

  • Nr art. RS 168-7931
  • Nr części producenta IRF7319TRPBF
  • Producent Infineon
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Kraj pochodzenia: MY
Szczegółowe dane produktu

Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon

Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N/P-channel configuration.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału N, P
Maksymalny ciągły prąd drenu 4,9 A; 6,5 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 30 V
Maksymalna rezystancja dren-źródło 46 mΩ, 98 mΩ
Maksymalne napięcie progowe VGS 1V
Minimalne napięcie progowe VGS 1V
Maksymalne napięcie bramka-źródło -20 V, +20 V
Typ opakowania SOIC
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Konfiguracja tranzystora Izolacja
Liczba styków 8
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Maksymalna strata mocy 2 W
Szerokość 4mm
Liczba elementów na układ 2
Minimalna temperatura robocza -55°C
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 22 nC przy 10 V, 23 nC przy 10 V
Wysokość 1.5mm
Seria HEXFET
Długość 5mm
Materiał tranzystora Si
Maksymalna temperatura robocza +150°C
4000 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (4000 na rolce)
1,57
(bez VAT)
1,93
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Per Reel*
4000 - 8000
1,57 zł
6 264,00 zł
12000 +
1,53 zł
6 108,00 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa