MOSFET P-kanałowy 4,6 A SO 30 V SMD Pojedynczy 2,5 W 130 miliomów
- Nr art. RS:
- 170-2261
- Nr części producenta:
- IRF7205TRPBF
- Producent:
- Infineon
Produkt wycofany
- Nr art. RS:
- 170-2261
- Nr części producenta:
- IRF7205TRPBF
- Producent:
- Infineon
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Niezgodne
Szczegółowe dane produktu
Infineon IRF7205 to jednokanałowy tranzystor P MOSFET o napięciu 30 V z zasilaniem HEXFET w OBUDOWIE SO-8.
Płaska struktura komórek dla szerokiego SOA
Zoptymalizowane pod kątem najszerszej dostępności od partnerów dystrybucyjnych
Kwalifikacje produktu zgodne z normą JEDEC
Zoptymalizowane pod kątem najszerszej dostępności od partnerów dystrybucyjnych
Kwalifikacje produktu zgodne z normą JEDEC
.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 4,6 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 30 V |
| Typ opakowania | SO |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 8 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 130 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 3V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 1V |
| Maksymalna strata mocy | 2,5 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | 20 V |
| Szerokość | 4mm |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 27 nC przy 10 V |
| Długość | 5mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Seria | IRF7205PbF |
| Napięcie przewodzenia diody | 1.2V |
| Wysokość | 1.5mm |
- Nr art. RS:
- 170-2261
- Nr części producenta:
- IRF7205TRPBF
- Producent:
- Infineon