MPN

MOSFET N-kanałowy BSC12DN20NS3GATMA1 200 V 11,3 A 8-Pin TDSON SMD BSC12DN20NS3 G Pojedynczy

Nr art. RS:
170-2290
Nr części producenta:
BSC12DN20NS3GATMA1
Producent:
Infineon
Infineon

5000 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Add to Basket
Sztuki

Wysyłka standardowa

Dodano do koszyka

Cena za szt. (5000 na rolce)

3,07 zł

(bez VAT)

3,78 zł

(z VAT)

SztukiPer unitPer Reel*
5000 - 50003,07 zł15 360,00 zł
10000 +3,00 zł14 975,00 zł
*cena za opakowanie
Nr art. RS:
170-2290
Nr części producenta:
BSC12DN20NS3GATMA1
Producent:
Infineon

Atesty i certyfikaty


Szczegółowe dane produktu




Dane techniczne

AtrybutParametr
Typ kanałuN
Maksymalny ciągły prąd drenu11,3 A
Maksymalne napięcie dren-źródło200 V
Typ opakowaniaTDSON
Typ montażuMontaż powierzchniowy
Liczba styków8
Maksymalna rezystancja dren-źródło125 miliomów
Tryb kanałowyRozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS4V
Minimalne napięcie progowe VGS2V
Maksymalna strata mocy50 W
Konfiguracja tranzystoraPojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło20 V
Liczba elementów na układ1
SeriaBSC12DN20NS3 G
Szerokość6.35mm
Wysokość1.1mm
Minimalna temperatura robocza-55°C
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs6,5 nC przy 10 V
Długość5.35mm
Maksymalna temperatura robocza+150°C
Napięcie przewodzenia diody1.2V
5000 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Add to Basket
Sztuki

Wysyłka standardowa

Dodano do koszyka

Cena za szt. (5000 na rolce)

3,07 zł

(bez VAT)

3,78 zł

(z VAT)

SztukiPer unitPer Reel*
5000 - 50003,07 zł15 360,00 zł
10000 +3,00 zł14 975,00 zł
*cena za opakowanie