- Nr art. RS:
- 170-4348
- Nr części producenta:
- DN3545N3-G
- Producent:
- Microchip
Zapas chwilowo wyczerpany, wysyłka nastąpi, gdy produkt będzie znowu dostępny
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w opak. á 1000)
3,01 zł
(bez VAT)
3,70 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit | Per Bag* |
1000 + | 3,01 zł | 3 010,00 zł |
*cena za opakowanie |
- Nr art. RS:
- 170-4348
- Nr części producenta:
- DN3545N3-G
- Producent:
- Microchip
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- TH
Szczegółowe dane produktu
Tranzystory MOSFET supertex N-Channel Depletion Mode
Tranzystory DMOS FET firmy Microchip z serii Supertex produkowane w trybie N-kanałowym są przystosowane do zastosowań wymagających wysokiego napięcia awarii, wysokiej impedancji wejściowej, niskiej pojemności wejściowej i szybkiej szybkości przełączania.
Funkcje
Wysoka impedancja wejściowa
Niska pojemność wejściowa
Wysoka szybkość przełączania
Niska rezystancja w stanie włączenia
Bez wtórnego przebicia
Niski prąd upływu na wejściu i wyjściu
Niska pojemność wejściowa
Wysoka szybkość przełączania
Niska rezystancja w stanie włączenia
Bez wtórnego przebicia
Niski prąd upływu na wejściu i wyjściu
Typowe zastosowania
Przełączniki normalnie włączone
Przekaźniki półprzewodnikowe
Przetwornice
Wzmacniacze liniowe
Źródła prądu stałego
Obwody zasilania
Telekomunikacja
Przekaźniki półprzewodnikowe
Przetwornice
Wzmacniacze liniowe
Źródła prądu stałego
Obwody zasilania
Telekomunikacja
Tranzystor Microchip DN3545 N-Channel Delution mode (normalnie włączony) wykorzystuje pionową strukturę DMOS firmy Advanced i sprawdzony proces produkcji bramki silikonowej. Ta kombinacja daje urządzenie o możliwościach bipolarnych tranzystorów oraz o wysokiej impedancji wejściowej i dodatnim współczynniku temperatury związanym z urządzeniami MOS. Podobnie jak wszystkie konstrukcje MOS urządzenie to pozbawione jest strat termicznych oraz wtórnego przebicia wywołanego temperaturą. Pionowe układy FET DMOS są idealnie dostosowane do szerokiego zakresu zastosowań przy przełączaniu i wzmacnianiu, gdzie ważnymi parametrami są wysokie napięcie przebicia, wysoka impedancja wejściowa, niska pojemność wejściowa oraz szybkie przełączanie. Posiada napięcie odprowadzane do źródła i odprowadzane do bramki 450 V oraz rezystancję nastanową spustu statycznego do źródła 35 Ω.
Wysoka impedancja wejściowa
Niska pojemność wejściowa
Wysoka szybkość przełączania
Niska rezystancja w stanie włączenia
Bez wtórnego przebicia
Niski prąd upływu na wejściu i wyjściu
Bez zawartości ołowiu (Pb)
Pakiet 3-Lead TO-92
Niska pojemność wejściowa
Wysoka szybkość przełączania
Niska rezystancja w stanie włączenia
Bez wtórnego przebicia
Niski prąd upływu na wejściu i wyjściu
Bez zawartości ołowiu (Pb)
Pakiet 3-Lead TO-92
.
Tranzystory MOSFET, Microchip
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Typ kanału | N |
Maksymalny ciągły prąd drenu | 130 mA |
Maksymalne napięcie dren-źródło | 450 V |
Typ opakowania | TO-92 |
Typ montażu | Otwór przezierny |
Liczba styków | 3 |
Maksymalna rezystancja dren-źródło | 20 Ω |
Tryb kanałowy | Wyczerpanie |
Liczba elementów na układ | 1 |
Seria | DN3545 |
- Nr art. RS:
- 170-4348
- Nr części producenta:
- DN3545N3-G
- Producent:
- Microchip