- Nr art. RS:
- 170-4354
- Nr części producenta:
- 2N7008-G
- Producent:
- Microchip
1000 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w opak. á 1000)
2,17 zł
(bez VAT)
2,67 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit | Per Bag* |
1000 + | 2,17 zł | 2 172,00 zł |
*cena za opakowanie |
- Nr art. RS:
- 170-4354
- Nr części producenta:
- 2N7008-G
- Producent:
- Microchip
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- TH
Szczegółowe dane produktu
Tranzystory N-Channel MOSFET 2N7008
Microchip 2N7008 to tranzystor typu extension (zwykle wyłączony), który wykorzystuje pionową strukturę DMOS. Konstrukcja łączy w sobie możliwości zasilania tranzystora bipolarnego z wysoką impedancją wejściową i dodatnim współczynnikiem temperatury urządzeń MOS.
Funkcje
Bez dodatkowego podziału
Napęd o niskim poborze mocy
Łatwość obsługi równoległej
Mały C ISS i szybkie przełączanie
Doskonała stabilność termiczna
Integralna dioda spustu
Wysoka impedancja wejściowa i wysokie wzmocnienie
Napęd o niskim poborze mocy
Łatwość obsługi równoległej
Mały C ISS i szybkie przełączanie
Doskonała stabilność termiczna
Integralna dioda spustu
Wysoka impedancja wejściowa i wysokie wzmocnienie
Tranzystor Microchip 2N7008 w trybie N-Channel Enhancement-mode (normalnie wyłączony) wykorzystuje pionową strukturę DMOS i sprawdzony proces produkcji z bramką silikonową. To połączenie tworzy urządzenie o możliwościach obsługi mocy tranzystorów bipobiegunowych oraz wysokiej impedancji wejściowej i dodatnim współczynniku temperaturowym właściwym dla urządzenia MOS. To urządzenie jest wolne od awarii termicznej i indukowanej termicznie awarii wtórnej. Pionowe FET DMOS idealnie nadają się do szerokiej gamy zastosowań związanych z przełączaniem i wzmacnianiem, w których wymagane jest bardzo niskie napięcie progowe, wysokie napięcie przebicia, wysoka impedancja wejściowa, niska pojemność wejściowa i szybkie przełączanie.
Bez wtórnego przebicia
Niewielkie wymagania dotyczące sterowania zasilaniem
Łatwe łączenie równoległe
Niska wartość CISS i wysokie prędkości przełączania
Doskonała stabilność termiczna
Zintegrowana dioda źródło-dren
Wysoka impedancja wejściowa i wysokie wzmocnienie
Bez zawartości ołowiu (Pb)
Niewielkie wymagania dotyczące sterowania zasilaniem
Łatwe łączenie równoległe
Niska wartość CISS i wysokie prędkości przełączania
Doskonała stabilność termiczna
Zintegrowana dioda źródło-dren
Wysoka impedancja wejściowa i wysokie wzmocnienie
Bez zawartości ołowiu (Pb)
.
Tranzystory MOSFET, Microchip
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Typ kanału | N |
Maksymalny ciągły prąd drenu | 230 mA |
Maksymalne napięcie dren-źródło | 60 V |
Typ opakowania | TO-92 |
Seria | 2N7008 |
Typ montażu | Otwór przezierny |
Liczba styków | 3 |
Maksymalna rezystancja dren-źródło | 7.5 Ω |
Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
Maksymalne napięcie progowe VGS | 2.5V |
Materiał tranzystora | Krzem |
Liczba elementów na układ | 1 |
- Nr art. RS:
- 170-4354
- Nr części producenta:
- 2N7008-G
- Producent:
- Microchip