MOSFET N-kanałowy 11,3 A TDSON 200 V SMD Pojedynczy 50 W 125 miliomów
- Nr art. RS:
- 171-1952
- Nr części producenta:
- BSC12DN20NS3GATMA1
- Producent:
- Infineon
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 29.11.2024, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 10)
4,60 zł
(bez VAT)
5,65 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 10 - 40 | 4,60 zł | 45,95 zł |
| 50 - 90 | 4,37 zł | 43,65 zł |
| 100 - 240 | 3,93 zł | 39,29 zł |
| 250 - 490 | 3,53 zł | 35,33 zł |
| 500 + | 3,36 zł | 33,62 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 171-1952
- Nr części producenta:
- BSC12DN20NS3GATMA1
- Producent:
- Infineon
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Produkty OptiMOS Infineon BSC12DN20NS3 G 200V to wiodące w branży technologie wzorcowe, doskonale nadające się do synchronicznej prostowania w systemach 48 V, przetwornikach DC-DC, zasilaczach bezprzerwań (UPS) i falownikach do napędów prądu stałego.
Najwyższa sprawność
Najwyższa gęstość mocy
Najniższe wykorzystanie przestrzeni na płytce
Minimalne wymagane szeregowanie urządzeń
Poprawa ekonomii układów
Najwyższa gęstość mocy
Najniższe wykorzystanie przestrzeni na płytce
Minimalne wymagane szeregowanie urządzeń
Poprawa ekonomii układów
.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 11,3 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 200 V |
| Seria | BSC12DN20NS3 G |
| Typ opakowania | TDSON |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 8 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 125 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 50 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | 20 V |
| Szerokość | 6.35mm |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Długość | 5.35mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 6,5 nC przy 10 V |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Napięcie przewodzenia diody | 1.2V |
| Wysokość | 1.1mm |