MOSFET N-kanałowy 500 mA TO-220 400 V Pojedynczy 15 W 25 omów
- Nr art. RS:
- 178-4924
- Nr części producenta:
- DN2540N5-G
- Producent:
- Microchip
400 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w tubie á 50)
6,43 zł
(bez VAT)
7,91 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Tube* |
| 50 - 50 | 6,43 zł | 321,65 zł |
| 100 + | 5,82 zł | 291,10 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 178-4924
- Nr części producenta:
- DN2540N5-G
- Producent:
- Microchip
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Tranzystory MOSFET supertex N-Channel Depletion Mode
Tranzystory DMOS FET firmy Microchip z serii Supertex produkowane w trybie N-kanałowym są przystosowane do zastosowań wymagających wysokiego napięcia awarii, wysokiej impedancji wejściowej, niskiej pojemności wejściowej i szybkiej szybkości przełączania.
Funkcje
Wysoka impedancja wejściowa
Niska pojemność wejściowa
Wysoka szybkość przełączania
Niska rezystancja w stanie włączenia
Bez wtórnego przebicia
Niski prąd upływu na wejściu i wyjściu
Niska pojemność wejściowa
Wysoka szybkość przełączania
Niska rezystancja w stanie włączenia
Bez wtórnego przebicia
Niski prąd upływu na wejściu i wyjściu
Typowe zastosowania
Przełączniki normalnie włączone
Przekaźniki półprzewodnikowe
Przetwornice
Wzmacniacze liniowe
Źródła prądu stałego
Obwody zasilania
Telekomunikacja
Przekaźniki półprzewodnikowe
Przetwornice
Wzmacniacze liniowe
Źródła prądu stałego
Obwody zasilania
Telekomunikacja
.
Tranzystory MOSFET, Microchip
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 500 mA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 400 V |
| Typ opakowania | TO-220 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 25 omów |
| Tryb kanałowy | Wyczerpanie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 3.5V |
| Maksymalna strata mocy | 15 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Długość | 10.7mm |
| Szerokość | 4.826mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Wysokość | 16.51mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |