MOSFET N-kanałowy 30 mA TO-243AA 500 V SMD Pojedynczy 1,6 W 1 kiloom
- Nr art. RS:
- 178-5275
- Nr części producenta:
- LND150N8-G
- Producent:
- Microchip
2000 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (2000 na rolce)
2,62 zł
(bez VAT)
3,22 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Reel* |
| 2000 + | 2,62 zł | 5 234,00 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 178-5275
- Nr części producenta:
- LND150N8-G
- Producent:
- Microchip
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Tranzystory MOSFET supertex N-Channel Depletion Mode
Tranzystory DMOS FET firmy Microchip z serii Supertex produkowane w trybie N-kanałowym są przystosowane do zastosowań wymagających wysokiego napięcia awarii, wysokiej impedancji wejściowej, niskiej pojemności wejściowej i szybkiej szybkości przełączania.
Funkcje
Wysoka impedancja wejściowa
Niska pojemność wejściowa
Wysoka szybkość przełączania
Niska rezystancja w stanie włączenia
Bez wtórnego przebicia
Niski prąd upływu na wejściu i wyjściu
Niska pojemność wejściowa
Wysoka szybkość przełączania
Niska rezystancja w stanie włączenia
Bez wtórnego przebicia
Niski prąd upływu na wejściu i wyjściu
Typowe zastosowania
Przełączniki normalnie włączone
Przekaźniki półprzewodnikowe
Przetwornice
Wzmacniacze liniowe
Źródła prądu stałego
Obwody zasilania
Telekomunikacja
Przekaźniki półprzewodnikowe
Przetwornice
Wzmacniacze liniowe
Źródła prądu stałego
Obwody zasilania
Telekomunikacja
.
Tranzystory MOSFET, Microchip
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 30 mA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 500 V |
| Typ opakowania | TO-243AA |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 4 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 1 kiloom |
| Tryb kanałowy | Wyczerpanie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 3V |
| Maksymalna strata mocy | 1,6 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Materiał tranzystora | Si |
| Długość | 4.6mm |
| Szerokość | 2.6mm |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Wysokość | 1.6mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |