MOSFET N-kanałowy 300 mA DPAK (TO-252) 650 V SMD Pojedynczy 2,5 W 8 omów
- Nr art. RS:
- 178-5359
- Nr części producenta:
- DN3765K4-G
- Producent:
- Microchip
Produkt wycofany
- Nr art. RS:
- 178-5359
- Nr części producenta:
- DN3765K4-G
- Producent:
- Microchip
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Tranzystory MOSFET supertex N-Channel Depletion Mode
Tranzystory DMOS FET firmy Microchip z serii Supertex produkowane w trybie N-kanałowym są przystosowane do zastosowań wymagających wysokiego napięcia awarii, wysokiej impedancji wejściowej, niskiej pojemności wejściowej i szybkiej szybkości przełączania.
Funkcje
Wysoka impedancja wejściowa
Niska pojemność wejściowa
Wysoka szybkość przełączania
Niska rezystancja w stanie włączenia
Bez wtórnego przebicia
Niski prąd upływu na wejściu i wyjściu
Niska pojemność wejściowa
Wysoka szybkość przełączania
Niska rezystancja w stanie włączenia
Bez wtórnego przebicia
Niski prąd upływu na wejściu i wyjściu
Typowe zastosowania
Przełączniki normalnie włączone
Przekaźniki półprzewodnikowe
Przetwornice
Wzmacniacze liniowe
Źródła prądu stałego
Obwody zasilania
Telekomunikacja
Przekaźniki półprzewodnikowe
Przetwornice
Wzmacniacze liniowe
Źródła prądu stałego
Obwody zasilania
Telekomunikacja
.
Tranzystory MOSFET, Microchip
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 300 mA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 650 V |
| Typ opakowania | DPAK (TO-252) |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 8 omów |
| Tryb kanałowy | Wyczerpanie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 3.5V |
| Maksymalna strata mocy | 2,5 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Szerokość | 6.73mm |
| Długość | 6.2mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Wysokość | 2.39mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |