MOSFET P-kanałowy 200 mA SOT-89 240 V SMD Pojedynczy 1 W 12 omów
- Nr art. RS:
- 178-7048
- Nr części producenta:
- BSS192,115
- Producent:
- Nexperia
Produkt wycofany
- Nr art. RS:
- 178-7048
- Nr części producenta:
- BSS192,115
- Producent:
- Nexperia
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
MOSFET P-Nexperia
.
Tranzystory MOSFET, półprzewodniki NXP
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 200 mA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 240 V |
| Typ opakowania | SOT-89 |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 12 omów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 2.8V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 0.8V |
| Maksymalna strata mocy | 1 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Szerokość | 2.6mm |
| Długość | 4.6mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Wysokość | 1.6mm |
- Nr art. RS:
- 178-7048
- Nr części producenta:
- BSS192,115
- Producent:
- Nexperia