MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 4 A 1206 ChipFET 20 V SMD 0.05 O,0.156 O

Nr art. RS:: 180-7787
Nr części producenta:: SI5515CDC-T1-GE3
Producent:: Vishay

MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 4 A 1206 ChipFET 20 V SMD 0.05 O,0.156 O

3000 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.

Wysyłka standardowa

Dodano do koszyka

Cena netto za szt. (opak. á 20)

3,15 zł

(bez VAT)

3,88 zł

(z VAT)

Produkty	Per unit	Za opakowanie*
20 - 180	3,15 zł	63,06 zł
200 - 480	2,43 zł	48,56 zł
500 - 980	2,05 zł	41,00 zł
1000 - 1980	1,89 zł	37,86 zł
2000 +	1,70 zł	34,08 zł
*cena za opakowanie

Nr art. RS:: 180-7787
Nr części producenta:: SI5515CDC-T1-GE3
Producent:: Vishay

Dane techniczne

Datasheet

Atesty i certyfikaty

Kraj pochodzenia:: CN

Szczegółowe dane produktu

Tranzystor MOSFET Vishay

MOSFET Vishay montowany powierzchniowo dwukanałowy (zarówno P, jak i N) MOSFET to nowy produkt wiekowy o napięciu źródła odpływowego 20 V i oporze źródła odpływowego 36 megaomów przy napięciu źródła sygnału 4,5 V. Maksymalna moc znamionowa urządzenia wynosi 3,1 w. Tranzystor MOSFET ma prąd ciągłego spustu 4A. It ma zastosowanie w przełącznikach obciążenia dla urządzeń przenośnych. System MOSFET został zoptymalizowany pod kątem mniejszych strat związanych z przełączaniem i przewodnictwem.

Charakterystyka i zalety

• Bez zawartości halogenu
• bez ołowiu (Pb)
• zakres temperatur roboczych od -55°C do 150°C.
• TrenchFET mocy MOSFET

Certyfikaty

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• testowany RG

.

Dane techniczne

Atrybut	Parametr
Typ kanału	N, P
Maksymalny ciągły prąd drenu	4 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	20 V
Seria	TrenchFET
Typ opakowania	1206 ChipFET
Typ montażu	Montaż powierzchniowy
Liczba styków	8
Maksymalna rezystancja dren-źródło	0.05 O,0.156 O
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS	0.8V
Liczba elementów na układ	2

Nr art. RS:: 180-7787
Nr części producenta:: SI5515CDC-T1-GE3
Producent:: Vishay

Datasheet