- Nr art. RS:
- 184-1071
- Nr części producenta:
- NTZD3154NT1G
- Producent:
- onsemi
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 09.09.2024, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Cena netto za szt. (4000 na rolce)
0,38 zł
(bez VAT)
0,47 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit | Per Reel* |
4000 + | 0,38 zł | 1 528,00 zł |
*cena za opakowanie |
- Nr art. RS:
- 184-1071
- Nr części producenta:
- NTZD3154NT1G
- Producent:
- onsemi
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
Jest to tranzystor mocy 20 V typu N-Channel MOSFET.
Niski RDS(on) Poprawa wydajności systemu
Niskie napięcie progowe
Mała powierzchnia podstawy 1,6 x 1,6 mm
Bramka zabezpieczona przed ESD
Zastosowania:
Przełączniki obciążenia/zasilania
Obwody przetwornic zasilania
Zarządzanie akumulatorami
Niskie napięcie progowe
Mała powierzchnia podstawy 1,6 x 1,6 mm
Bramka zabezpieczona przed ESD
Zastosowania:
Przełączniki obciążenia/zasilania
Obwody przetwornic zasilania
Zarządzanie akumulatorami
.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Typ kanału | N |
Maksymalny ciągły prąd drenu | 540 mA |
Maksymalne napięcie dren-źródło | 20 V |
Typ opakowania | SOT-563 |
Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
Liczba styków | 6 |
Maksymalna rezystancja dren-źródło | 900 miliomów |
Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
Maksymalne napięcie progowe VGS | 1V |
Minimalne napięcie progowe VGS | 0.45V |
Maksymalna strata mocy | 250 mW |
Maksymalne napięcie bramka-źródło | ±7 V |
Liczba elementów na układ | 2 |
Długość | 1.7mm |
Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 1,5 nC przy 4,5 V |
Szerokość | 1.3mm |
Wysokość | 0.6mm |
Minimalna temperatura robocza | -55°C |
Napięcie przewodzenia diody | 1.2V |