MOSFET Typ N-kanałowy 200 mA TO-92 60 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 400 mW onsemi 9 Ω 2N7000-D26Z
- Nr art. RS:
- 184-4881
- Nr części producenta:
- 2N7000-D26Z
- Producent:
- onsemi
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Suma częściowa (1 opakowanie po 100 sztuk/i)*
90,10 zł
(bez VAT)
110,80 zł
(z VAT)
Dodaj 400 sztuk/i, aby uzyskać bezpłatną dostawę
W magazynie
- 200 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
- Dodatkowe 2000 szt. dostępne od 04 marca 2026
- Dodatkowe 2000 szt. dostępne od 17 czerwca 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Za Opakowanie* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | 0,901 zł | 90,10 zł |
| 500 - 900 | 0,777 zł | 77,70 zł |
| 1000 + | 0,673 zł | 67,30 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 184-4881
- Nr części producenta:
- 2N7000-D26Z
- Producent:
- onsemi
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanału | Typ N | |
| Maksymalny ciągły prąd drenu Id | 200mA | |
| Maksymalne napięcie dren-źródło Vds | 60V | |
| Seria | 2N7000 | |
| Typ obudowy | TO-92 | |
| Typ montażu | Otwór przelotowy | |
| Liczba styków | 3 | |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds | 9Ω | |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie | |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs | 20 V | |
| Napięcie przewodzenia Vf | 0.88V | |
| Maksymalna strata mocy Pd | 400mW | |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C | |
| Maksymalna temperatura robocza | 150°C | |
| Szerokość | 4.19 mm | |
| Długość | 5.2mm | |
| Wysokość | 5.33mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanału Typ N | ||
Maksymalny ciągły prąd drenu Id 200mA | ||
Maksymalne napięcie dren-źródło Vds 60V | ||
Seria 2N7000 | ||
Typ obudowy TO-92 | ||
Typ montażu Otwór przelotowy | ||
Liczba styków 3 | ||
Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds 9Ω | ||
Tryb kanałowy Rozszerzenie | ||
Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs 20 V | ||
Napięcie przewodzenia Vf 0.88V | ||
Maksymalna strata mocy Pd 400mW | ||
Minimalna temperatura robocza -55°C | ||
Maksymalna temperatura robocza 150°C | ||
Szerokość 4.19 mm | ||
Długość 5.2mm | ||
Wysokość 5.33mm | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
- Kraj pochodzenia:
- CN
Te N-kanałowe tranzystory MOSFET o małych sygnałach są produkowane przy użyciu technologii DMOS firmy ON Semiconductor. Te produkty zostały zaprojektowane tak, aby zminimalizować odporność na zmiany stanu przy jednoczesnym zapewnieniu solidnej, niezawodnej i szybkiej pracy przy przełączaniu. Mogą one być stosowane w większości zastosowań wymagających maks. 400 mA DC i mogą dostarczać prąd pulsujący o natężeniu do 2 A. Produkty te są szczególnie przydatne do zastosowań niskonapięciowych i niskoprądowych.
Sterowany napięciem przełącznik małej mocy sygnału
Funkcja wysokiego natężenia prądu saturacji
Solidność i niezawodność
Konstrukcja przetwornika o dużej gęstości dla funkcji RDS(ON)
Zastosowania
Sterowanie małym serwomechanizmem
Sterowniki bramki Power MOSFET
Różne aplikacje przełączania
Powiązane linki
- MOSFET Typ N-kanałowy 200 mA TO-92 60 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 400 mW onsemi 9 Ω 2N7000-D26Z
- MOSFET Typ N-kanałowy 200 mA TO-92 60 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 400 mW onsemi 9 Ω
- MOSFET Typ N-kanałowy 200 mA TO-92 60 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 400 mW onsemi 5 Ω 2N7000
- MOSFET Typ N-kanałowy 200 mA TO-92 60 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 400 mW onsemi 5 Ω
- MOSFET Typ N-kanałowy 200 mA TO-92 60 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 400 mW onsemi 5 Ω 2N7000TA
- MOSFET Typ N-kanałowy 200 mA TO-92 60 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 1 W Microchip 5.3 Ω 2N7000-G
- MOSFET Typ N-kanałowy 500 mA TO-92 60 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 830 mW onsemi 5 Ω
- MOSFET Typ N-kanałowy 500 mA TO-92 60 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 830 mW onsemi 5 Ω BS170