MOSFET N-kanałowy 10,9 A PQFN 3 x 3 250 V SMD 0.165 O.
- Nr art. RS:
- 214-8987
- Nr części producenta:
- BSZ16DN25NS3GATMA1
- Producent:
- Infineon
Cena netto za szt. (5000 na rolce)**
2,72 zł
(bez VAT)
3,34 zł
(z VAT)
100 W magazynie, dostawa w ciągu 4 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.*
* Daty dostawy mogą ulec zmianie w zależności od wybranej ilości i adresu dostawy.
BEZPŁATNA dostawa przy zamówieniu powyżej 300,00 zł
Wysyłka standardowa
Produkty | Za jednostkę | Na rolki** |
|---|---|---|
| 5000 + | 2,72 zł | 13 585,00 zł |
**cena za opakowanie
- Nr art. RS:
- 214-8987
- Nr części producenta:
- BSZ16DN25NS3GATMA1
- Producent:
- Infineon
Powiązane linki
- MOSFET N-kanałowy 10,9 A PQFN 3 x 3 250 V SMD 0.165 O.
- MOSFET N-kanałowy 86 A PQFN 3 x 3 60 V SMD 0.0045 O, 0.0056 O.
- MOSFET N-kanałowy 64 A PQFN 3 x 3 80 V SMD 0.0078 O, 0.0099 O.
- MOSFET N-kanałowy 37 A PQFN 3 x 3 100 V SMD 0.0169 O, 0.0219 O.
- MOSFET N-kanałowy 56 A PQFN 3 x 3 60 V SMD 0.0073 O, 0.0092 O.
- MOSFET N-kanałowy 58 A PQFN 3 x 3 100 V SMD 0.0115 O, 0.0155 O.
- MOSFET P-kanałowy 39,6 A PQFN 3 x 3 30 V SMD 0.018 O.
- Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 12 A PQFN 3 x 3 30 V SMD 0.0124 O.