MOSFET P-kanałowy 3 A SOT-223 30 V SMD Pojedynczy 1.65 W 250 miliomów
- Nr art. RS:
- 216-9268
- Nr części producenta:
- BSP250,115
- Producent:
- Nexperia
Zapas chwilowo wyczerpany, wysyłka nastąpi, gdy produkt będzie znowu dostępny
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 5)
2,94 zł
(bez VAT)
3,62 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 5 - 5 | 2,94 zł | 14,72 zł |
| 10 - 45 | 1,77 zł | 8,87 zł |
| 50 - 245 | 1,67 zł | 8,37 zł |
| 250 - 495 | 1,63 zł | 8,15 zł |
| 500 + | 1,58 zł | 7,88 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 216-9268
- Nr części producenta:
- BSP250,115
- Producent:
- Nexperia
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
MOSFET P-Nexperia
.
Tranzystory MOSFET, półprzewodniki NXP
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 3 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 30 V |
| Typ opakowania | SOT-223 |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 250 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 2.8V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 1V |
| Maksymalna strata mocy | 1.65 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Długość | 6.7mm |
| Szerokość | 3.7mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150 °C |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 10 nC przy 10 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Wysokość | 1.7mm |
| Minimalna temperatura robocza | -65 °C |
- Nr art. RS:
- 216-9268
- Nr części producenta:
- BSP250,115
- Producent:
- Nexperia