MOSFET N-kanałowy 300 mA SOT-23 60 V SMD Pojedynczy 830 mW 5 omów
- Nr art. RS:
- 436-7379P
- Nr części producenta:
- 2N7002,215
- Producent:
- Nexperia
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Suma częściowa 150 sztuk/i (dostarczane na szpuli)*
47,55 zł
(bez VAT)
58,50 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
Tymczasowo niedostępny
- 173 150 szt. dostępne od 13 maja 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę |
|---|---|
| 150 - 725 | 0,317 zł |
| 750 + | 0,282 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 436-7379P
- Nr części producenta:
- 2N7002,215
- Producent:
- Nexperia
Dane techniczne
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Nexperia | |
| Typ kanału | N | |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 300 mA | |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 60 V | |
| Typ opakowania | SOT-23 | |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy | |
| Liczba styków | 3 | |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 5 omów | |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie | |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 2.5V | |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 1V | |
| Maksymalna strata mocy | 830 mW | |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy | |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V | |
| Szerokość | 1.4mm | |
| Długość | 3mm | |
| Materiał tranzystora | Si | |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C | |
| Liczba elementów na układ | 1 | |
| Minimalna temperatura robocza | -65°C | |
| Wysokość | 1mm | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Nexperia | ||
Typ kanału N | ||
Maksymalny ciągły prąd drenu 300 mA | ||
Maksymalne napięcie dren-źródło 60 V | ||
Typ opakowania SOT-23 | ||
Typ montażu Montaż powierzchniowy | ||
Liczba styków 3 | ||
Maksymalna rezystancja dren-źródło 5 omów | ||
Tryb kanałowy Rozszerzenie | ||
Maksymalne napięcie progowe VGS 2.5V | ||
Minimalne napięcie progowe VGS 1V | ||
Maksymalna strata mocy 830 mW | ||
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy | ||
Maksymalne napięcie bramka-źródło -30 V, +30 V | ||
Szerokość 1.4mm | ||
Długość 3mm | ||
Materiał tranzystora Si | ||
Maksymalna temperatura robocza +150°C | ||
Liczba elementów na układ 1 | ||
Minimalna temperatura robocza -65°C | ||
Wysokość 1mm | ||
- Kraj pochodzenia:
- CN
MOSFET N-Channel, od 60 V do 80 V, Nexperia
.
Tranzystory MOSFET, półprzewodniki NXP
Powiązane linki
- MOSFET N-kanałowy 300 mA SOT-23 60 V SMD Pojedynczy 830 mW 5 omów
- MOSFET N-kanałowy 190 mA SOT-23 100 V SMD Pojedynczy 830 mW 10 omów
- MOSFET N-kanałowy 500 mA SOT-23 60 V SMD Pojedynczy 300 mW 5 omów
- MOSFET N-kanałowy 250 mA SOT-23 60 V SMD Pojedynczy 300 mW 5 omów
- MOSFET N-kanałowy 300 mA SOT-23 240 V SMD Pojedynczy 510 mW 6 omów
- MOSFET P-kanałowy 130 mA SOT-23 50 V SMD Pojedynczy 300 mW 10 omów
- MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 340 mA, 510 mA SOT-23 60 V SMD Izolacja 960 mW 4 omów; 10 omów
- MOSFET N-kanałowy 150 mA SOT-23 60 V SMD Pojedynczy 330 mW 5 omów